陈星弼（1931.1.28-2019.12.04），出生于上海，祖籍浙江省金华市浦江县。半导体器件物理学家、微电子学家。教授，博士生导师，1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。2019年，当选IEEE Life Fellow。2019年12月4日，因病医治无效，在成都逝世，享年89岁。
陈星弼院士1952年毕业于同济大学电机系，毕业后分配至厦门大学电机系任助教，1953年-1956年在南京工学院无线电工程系任助教、讲师，1956年开始在成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。
陈星弼院士著书7本，发表学术论文110多篇，申请中国发明专利20项（已授权17项），申请美国发明专利19项（已授权16项，另有两项已通知准备授权），申请国际发明专利1项。获国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项，完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。
陈星弼院士是国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。他是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是原电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且获得第一个博士点。他从1981年起开始对功率半导体器件进行研究，第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。他提出了两类纵向导电的器件新耐压结构，并作了唯一的三维电场分析结果，被国际学术界誉为功率器件的新里程碑。他发表超过170篇论文和40项发明专利，其中著名的超结发明被国际专利他引超过550次；发表著作逾10部，主持完成多项国家重点项目并屡次获得国家奖。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，陈院士于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，是亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明的超结器件而入选IEEE ISPSD首届全球名人堂（全球共32位，国内首位）。他曾任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长，于1989年主持创建了电子科技大学“半导体器件与微电子学”博士点，为微电子与固体电子学科的发展做出了卓越贡献。
